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英飛凌模塊按封裝工藝分類

日期:2025-07-02 02:25
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摘要:
    IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主,中低壓IGBT模塊則出現了很多新技術,如燒結取代焊接,壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。

    隨著IGBT芯片技術的不斷發(fā)展,芯片的*高工作結溫與功率密度不斷提高, IGBT模塊技術也要與之相適應。未來IGBT模塊技術將圍繞 芯片背面焊接固定 與 正面電極互連 兩方面改進。模塊技術發(fā)展趨勢:

    無焊接、 無引線鍵合及無襯板/基板封裝技術;

    內部集成溫度傳感器、電流傳感器及驅動電路等功能元件,不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度。

英飛凌模塊從結構上講,IGBT主要有三個發(fā)展方向:

    1)IGBT縱向結構:非透明集電區(qū)NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區(qū)NPT型和FS電場截止型;

    2)IGBT柵極結構:平面柵機構、Trench溝槽型結構;

    3)硅片加工工藝:外延生長技術、區(qū)熔硅單晶;

    其發(fā)展趨勢是:①降低損耗 ②降低生產成本

    總功耗= 通態(tài)損耗 (與飽和電壓 VCEsat有關)+開關損耗 (Eoff Eon)。同一代技術中通態(tài)損耗與開關損耗兩者相互矛盾,互為消長。

京公網安備 11010502035422號

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